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IR推出电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案万芳

发布时间:2020-02-14 11:12:24 阅读: 来源:球阀厂家

IR推出电池保护MOSFET系列,为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高栅极驱动从12 Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列,提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻,可替代采用较大封装的MOSFET,从而节省电路板空间及系统成本。”

所有新产品均不含铅、溴和卤,符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1) 及电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

规格

器件通道类型配置封装VBRDSS最大VGS4.5V下的2.5V下的典型QG(V)(V)最大导通电阻最大导通电阻(nC) (m )(m ) IRL6297SDN双共漏极DirectFET SA20124.96.954IRLML2246P单SOT-23-2012-135-2362.9IRLML2244P单SOT-23-2012-54-956.9IRLML6244N单SOT-23201221278.9IRLML6246N单SOT-23201246663.5IRLML6344N单SOT-23301229376.8IRLML6346N单SOT-23301263802.9IRLHS2242P单PQFN 2x2-2012-31-5312IRLHS6242N单PQFN 2x2201211.715.514IRLHS6276N双独立PQFN 2x2201245623.1IRLHS6342N单PQFN 2x2301215.519.511IRLHS6376N双独立PQFN 2x23012 822.8IRLTS2242P单TSOP-6-2012-32-5512IRLTS6342N单TSOP-6301217.52211

产品现正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具,请浏览IR的网站http://www.irf.com。

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